Diferencia entre revisiones de «BCN3D+»

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Primera Malla:<br/>
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<math>-12 + I_{C}·R_{RELE} + V_{CE}</math>
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<math>-12 + I_{C} \cdot R_{RELE} + V_{CE}</math>
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Cuando el transistor está saturado la caida de voltaje en <math>V_{CE}</math> es muy baja debido a que se comporta como interruptor cerrado. Por lo tanto podemos reescribir la ecuación:<br/>
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<math>I_C = \frac {12}{R_{RELE}}</math>
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Podemos calcular el valor de <math>I_C</math> porque podemos saber con un polímetro que resistencia tiene el Relé.<br/>
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Segunda Malla:<br/>
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<math>I_C = \beta \cdot I_B</math>
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Con esta relación de corrientes podemos "unir" las dos ecuaciones para poder encontrar <math>R_B</math>:<br/>
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<math>\beta</math> lo podemos medir con un polimetro o mirar en el datasheet del transistor<br/>
<math>I_C</math> ya la hemos calculado anteriormente<br/>
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Revisión del 07:46 16 sep 2014

Render 3D placa

esquematico

calculo corriente Ib

archivos Kicad

archivos fotolito




Primera Malla:

−12+IC⋅RRELE+VCE

Cuando el transistor está saturado la caida de voltaje en VCE es muy baja debido a que se comporta como interruptor cerrado. Por lo tanto podemos reescribir la ecuación:

IC=12RRELE

Podemos calcular el valor de IC porque podemos saber con un polímetro que resistencia tiene el Relé.

Segunda Malla:

−3.3+IB⋅RB+VBE

Aislamos RB y nos queda:

RB=3.3−VBEIB

Relación Corrientes BJT:

IC=β⋅IB

Con esta relación de corrientes podemos "unir" las dos ecuaciones para poder encontrar RB:

RB=(3.3−VBE)⋅βIC

VBE para los transistores de silicio es 0.6V
β lo podemos medir con un polimetro o mirar en el datasheet del transistor
IC ya la hemos calculado anteriormente