Revisión del 11:56 30 oct 2014

Esquema

Circuito para poder activar un relé desde la salida de un microcontrolador (3.3V o 5V)

Dónde:

$V_{R E L E} :$
$R_{R E L E} :$
$V_{C E} :$
$V_{B E}$
$R_{b}$
$V_{C o n t r o l} :$

Como se puede ver en el circuito hay dos mallas: la que incluye la tensión que activa el relé, el relé y la tensión que cae entre el colector y el emisor y la malla que incluye la tensión de control, la resistencia de base y la tensión que cae entre base y emisor.

Primera Malla

$- V_{R E L E} + I_{C} \cdot R_{R E L E} + V_{C E}$

Cuando el transistor está saturado la caida de voltaje en $V_{C E}$ es muy baja debido a que se comporta como interruptor cerrado. Por lo tanto podemos reescribir la ecuación:

$I_{C} = \frac{V_{R E L E}}{R_{R E L E}}$

Segunda Malla

$- V_{C o n t r o l} + I_{B} \cdot R_{B} + V_{B E}$

Aislamos $R_{B}$ y nos queda:

$R_{B} = \frac{3.3 - V_{B E}}{I_{B}}$

Cálculo

Relación Corrientes BJT:

$I_{C} = β \cdot I_{B}$

Con esta relación de corrientes tenemos todo lo necesario para poder encontrar $R_{B}$ :

$R_{B} = \frac{(V_{C o n t r o l} - V_{B E}) \cdot β}{I_{C}} = \frac{(V_{C o n t r o l} - V_{B E}) \cdot β \cdot R_{R E L E}}{V_{R E L E}}$

Donde:

$V_{B E}$ para los transistores de silicio es $0.6 V$
$β$ lo podemos medir con un polimetro o mirar en el datasheet del transistor

@@ Línea 3: / Línea 3: @@
 [[File:Circuito_polarizar_bjt.png]]<br>
 <br>
-Circuito para poder activar un relé desde una salida de 3.3V<br/>
+Circuito para poder activar un relé desde la salida de un microcontrolador (3.3V o 5V)<br/>
 <br/>
-Como se puede ver en el circuito hay dos mallas: la que incluye la fuente de 12V, el relé y la tensión que cae entre el colector y el emisor y la malla que incluye la tensión de control, la resistencia de base y la tensión que cae entre base y emisor.<br/>
+Dónde:<br>
+*<math>V_{RELE}:</math>
+*<math>R_{RELE}:</math>
+*<math>V_{CE}:</math>
+*<math>V_{BE}</math>
+*<math>R_b</math>
+*<math>V_{Control}:</math>
+<br>
+<br>
+Como se puede ver en el circuito hay dos mallas: la que incluye la tensión que activa el relé, el relé y la tensión que cae entre el colector y el emisor y la malla que incluye la tensión de control, la resistencia de base y la tensión que cae entre base y emisor.<br/>
 <br/>
 ==Primera Malla==
 <br/>
-<math>-12 + I_{C} \cdot R_{RELE} + V_{CE}</math>
+<math>-V_{RELE} + I_{C} \cdot R_{RELE} + V_{CE}</math>
 <br/>
 <br/>
 Cuando el transistor está saturado la caida de voltaje en <math>V_{CE}</math> es muy baja debido a que se comporta como interruptor cerrado. Por lo tanto podemos reescribir la ecuación:<br/>
 <br/>
-<math>I_C = \frac {12}{R_{RELE}}</math>
+<math>I_C = \frac {V_{RELE}}{R_{RELE}}</math>
-<br/>
 <br/>
-Podemos calcular el valor de <math>I_C</math> porque podemos saber con un polímetro que resistencia tiene el Relé.<br/>
 <br/>
 ==Segunda Malla==
 <br/>
-<math>-3.3 + I_B \cdot R_B + V_{BE}</math>
+<math>-V_{Control} + I_B \cdot R_B + V_{BE}</math>
 <br/>
 <br/>
@@ Línea 38: / Línea 45: @@
 Con esta relación de corrientes tenemos todo lo necesario para poder encontrar <math>R_B</math>:<br/>
 <br/>
-<math>R_B = \frac {(3.3-V_{BE})\cdot \beta}{I_C}</math><br/>
+<math>R_B = \frac {(V_{Control}-V_{BE})\cdot \beta}{I_C} = \frac {(V_{Control} - V_{BE}) \cdot \beta \cdot R_{RELE}}{V_{RELE}}</math><br/>
 <br/>
-<math>V_{BE}</math> para los transistores de silicio es <math>0.6V</math><br/>
+Donde:<br>
-<math>\beta</math> lo podemos medir con un polimetro o mirar en el datasheet del transistor<br/>
+*<math>V_{BE}</math> para los transistores de silicio es <math>0.6V</math><br/>
-<math>I_C</math> ya la hemos calculado anteriormente<br/>
+*<math>\beta</math> lo podemos medir con un polimetro o mirar en el datasheet del transistor<br/>
 <br>
 = Esquema Mejorado =

Diferencia entre revisiones de «Circuito Relé»

Revisión del 11:56 30 oct 2014

Sumario

Esquema

Primera Malla

Segunda Malla

Cálculo

Esquema Mejorado

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